пятница, 8 февраля 2013 г.

разрешенные и запрещенные энергетические состояния

постоянная Больцмана,P PP

запрещенной зоны P(измеряется в джоулях или электронвольтах, см. ниже), PP P

постоянная, характеризующая данный полупроводник, PP P ширина

,PPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPP (1)

зависимость имеет экспоненциальный вид,

убывающей линейной функцией температуры,P уP чистых полупроводников эта

отличие от металлов, удельная проводимость которых в широком диапазоне является

соединения), обладающие худшей электропроводностью, чем у типичных металлов. В

кадмияP CdS и многие другие

фосфид индияP InP , сульфид

химические элементы (кремний PSi, Pгерманий PGe) или соединения (арсенид галлияP GaAs,

PPPP Полупроводники P Pэто

2. Теоретическое введение.

осциллографа Pи определение коэффициента выпрямления данного полупроводникового

получение вольтамперной характеристики диода на постоянном и на переменном токе, наблюдениеP PВАХP Pс помощью

полупроводниковых диодах и

работы является ознакомление с основными представлениями о полупроводниках и

PPPP Целью данной лабораторной

PPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPPP полупроводниковогоP диода »

PPP «ИзучениеP вольтампернойP характеристики

Комментариев нет:

Отправить комментарий